جمعه ۲۹ خردادساعت ۰۲:۳۷Jun 2026 19
جستجوی پیشرفته
شهر سخت افزار ۱۴۰۵/۰۲/۳۰ - ۲۲:۰۴

موفقیت دانشمندان ژاپنی در ساخت حافظه های 1000 برابر سریعتر از DRAM

یک تیم تحقیقاتی در ژاپن موفق شده حافظه ای مبتنی بر یک ماده آنتی فرومغناطیس بسازد که تنها در 40 پیکوثانیه سوئیچ می کند. این فناوری با استفاده از مکانیزم Spin-Orbit Torque و بدون نیاز به گرمایش شدید، راه جدیدی برای ساخت حافظه های فوق سریع و کم مصرف باز کرده که می تواند آینده پردازش سیستم های هوش مصنوعی را متحول کند. ... ... ادامه خبر

جستجوگر خبر فارسی، بستر مبادلات الکترونیکی متنی، صوتی و تصویری است (قانون تجارت الکترونیک). برای مشاهده متن خبری که جستجو کرده‌اید، "ادامه خبر" را زده، وارد سایت منتشر کننده شوید (بیشتر بدانید ...)