پنجشنبه ۲۸ خردادساعت ۱۳:۳۱Jun 2026 18
جستجوی پیشرفته
شبکه اینترنتی آفتاب ۱۳۹۴/۰۴/۰۹ - ۰۹:۲۱

دستگاههای الکترونیکی سریعتر آینده با کشف یک ترکیب جدید

دانشمندان مؤسسه شیمی فیزیک جامدات مکس پلانک و دانشگاه رادبود هلند دریافته اند که مقاومت الکتریکی ترکیب نیوبیوم و فسفر در هنگام قرار گرفتن در معرض میدان مغناطیسی به طور قابل توجهی افزایش می یابد. این کشف می تواند در آینده به تسهیل طراحی دستگاه های الکترونیکی بینجامد. به گزارش سرویس علمی ایسنا منطقه خراسان، این مقاومت مغناطیسی عظیم که وظیفه ذخیره سازی انبوه را در هارد دیسک های جدید دارد، پیش از این در برخی مواد با ساختار پیچیده مشاهده شده بود. ... ... ادامه خبر

جستجوگر خبر فارسی، بستر مبادلات الکترونیکی متنی، صوتی و تصویری است (قانون تجارت الکترونیک). برای مشاهده متن خبری که جستجو کرده‌اید، "ادامه خبر" را زده، وارد سایت منتشر کننده شوید (بیشتر بدانید ...)